法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/06 授权公告日:20101215 终止日期:20141218 申请日:20081218
专利权的终止
2010-12-15
授权
授权
2009-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-10
公开
公开
机译: 用于半导体的钨互连图案形成方法-在图案限定层所限定的多晶硅膜的暴露部分上生长钨,该膜优选为高掺杂氧化膜
机译: 用于生产多晶硅的反应炉,用于生产多晶硅的装置,用于生产多晶硅的方法以及用于生产多晶硅棒或多晶硅块的方法
机译: 用于生产多晶硅的反应炉,用于生产多晶硅的装置,用于生产多晶硅的方法以及用于生产多晶硅棒或多晶硅硅锭的方法