负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种负载在铝基体上的碳纳米管薄膜及其制备方法。本发明负载在铝基体上的碳纳米管薄膜，其中，所述的基体为经过阳极氧化，其氧化膜孔径为15-200nm，厚度为5-150μm的铝基体，在铝基体上负载的薄膜是由直径为0.5-20nm的碳纳米管和单链DNA构成，此单链DNA为5-60个鸟嘌呤(G)或者5-60个胸腺嘧啶(T)或者两种碱基的组合，碳纳米管薄膜的厚度为2-500nm，方块电阻值为0.5-50kΩ/sq。其制备方法过程为，将经过阳极氧化的铝基体浸渍于单壁碳纳米管的DNA溶液中0.5-96h，在基体表面自组装形成碳纳米管导电膜。本发明优点：制备过程简单，得到的碳纳米管导电膜均匀、稳定，导电性好，并有一定的透光性。