具有放大的第二位操作区间的多阶存储单元结构

摘要

本发明公开一种多阶存储单元装置，包括电荷捕捉结构，其具有通过从栅极或是衬底注入空穴而在此电荷捕捉结构的每一端产生多个逻辑状态以形成较大的第二位操作区间。注入空穴过程经由栅极或衬底导致边缘感应效应而发生。所述空穴电荷储存在一个与字线交叉的电荷捕捉层中，且空穴电荷沿着字线的边缘储存。在此多阶存储单元装置中的每一存储单元包含总共2m个位而此存储单元的每一侧有m位，总共有2*2