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等离子体处理装置内结构体和等离子体处理装置

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本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。

著录项

公开/公告号CN101271859B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-24

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200710167432.1
发明设计人樋熊政一;武藤慎司;
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申请日2007-10-24
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:05:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/683 授权公告日:20101124 终止日期:20161024 申请日:20071024

专利权的终止
2010-11-24

授权

授权
2010-11-24

授权

授权
2008-11-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-11-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-24

公开

公开
2008-09-24

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