首页> 中国专利> 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法

一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管包含基片、半导体层(17)、金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)、金属氧化物半导体栅极(14)，以及内连线(51)，其中金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)与内连线(51)从下至上顺序排列，阻障层(31)存在于金属氧化物半导体栅介电质(11)与内连线(51)的夹层中，半导体层(17)与内连线(51)直接接触，中间不存在阻障层(31)。该肖特基二极管及其制造方法能够满足金属氧化物半导体工艺的需求，并适用于亚微米集成电路的集成生产。

著录项

公开/公告号CN101506988B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-10

原文格式PDF
申请/专利权人和舰科技(苏州)有限公司;
展开▼

申请/专利号CN200680055418.6
发明设计人李家声;李召兵;施晓东;陈斌;
展开▼

申请日2006-08-18
分类号H01L29/872(20060101);H01L27/095(20060101);H01L29/94(20060101);H01L29/47(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11278 北京连和连知识产权代理有限公司;
代理人张春媛
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
入库时间 2022-08-23 09:05:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-14

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/872 变更前: 变更后: 申请日:20060818

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-11-10

授权

授权
2010-11-10

授权

授权
2009-10-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-12

公开

公开
2009-08-12

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101506988B . 2010.11.10
2. 肖特基势垒二极管和用于制造肖特基势垒二极管的方法 [P] . 中国专利： CN104465793B . 2019.03.01
3. FIN-BASED SCHOTTKY DIODE FOR INTEGRATED CIRCUIT (IC) PRODUCTS AND METHODS OF MAKING SUCH A SCHOTTKY DIODE [P] . US2021175370A1 . 2021-06-10

机译：用于集成电路（IC）产品的Fin基肖特基二极管和制造这种肖特基二极管的方法
4. Schottky diode, integrated circuit with a Schottky diode and method of making the same [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0123093A1 . 1984-10-31

机译：肖特基二极管，具有肖特基二极管的集成电路及其制造方法
5. MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE [P] . 日本专利： JP2010028147A . 2010-02-04

机译： III-V族复合半导体，肖特基势垒二极管，发光二极管，激光二极管的制造方法以及该III-V族复合半导体，肖特基障碍物二极管，激光二极管和制造方法的制造方法这些