磁记录介质用支持体和磁记录介质

摘要

本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×10