测量外延生长中图形畸变的方法

摘要

本发明公开了一种测量外延生长中图形畸变的方法，其利用光刻套刻精度的测量方法，利用外延层在一些材料上很难生长的特性，分别制备被保护层保护的测量图形的外框、对准图形和未被保护能进行外延生长的测量图形外框、对准图形，然后通过后续的一次光刻，对准相应的对准图形进行光刻曝光产生测量图形的内框，最后利用测量光刻套刻精度的方法来得到被保护层覆盖的测量图形及未被保护覆盖的测量图形的内框和外框的相对偏移量，从而表征外延层的图形畸变量。该方法适用于半导体制造中常见的各种分子外延生长工艺中，可以直接作为日常检查外延生长工艺的测量控制手段。