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氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法

摘要

本发明提供一种不会因利用弱酸(有机酸等)的蚀刻而产生残渣等的构成透明电极的透明导电膜。另外还提供用于制作该透明导电膜的溅射靶。本发明的溅射靶是由氧化铟和氧化铈构成的溅射靶,其特征是,当利用X射线衍射观察晶体峰时,可以观察到来源于氧化铟及氧化铈的峰的存在,并且当进行EPMA测定时,分散于氧化铟中的氧化铈粒子的直径被测定为在5μm以下。使用该溅射靶,利用溅射法形成透明导电膜。该透明导电膜基本上不会因利用弱酸(有机酸等)的蚀刻而产生残渣等。

著录项

  • 公开/公告号CN1930318B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 出光兴产株式会社;

    申请/专利号CN200580007545.4

  • 发明设计人 井上一吉;松原雅人;笘井重和;

    申请日2005-02-21

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人朱丹

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/34 授权公告日:20100901 终止日期:20190221 申请日:20050221

    专利权的终止

  • 2010-09-01

    授权

    授权

  • 2010-09-01

    授权

    授权

  • 2007-05-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-14

    公开

    公开

  • 2007-03-14

    公开

    公开

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