法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-07-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 1/02 授权公告日:20100915 终止日期:20130520 申请日:20080520
专利权的终止
2010-09-15
授权
授权
2009-02-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-10
公开
公开
机译: 根据由制造方法制造的飞秒激光表面处理和氧化物薄膜晶体管制造氧化物薄膜晶体管的方法
机译: 通过将晶种置于具有初始生长表面和中心中心纵轴的生长坩埚的晶体生长区域中并在晶体生长区域中产生生长气相来生产碳化硅体积单晶
机译: 飞秒激光在透明导电膜的自组织纳米点中形成优异的局部电导率的方法