公开/公告号CN101467228B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 国立大学法人京都大学;日新离子机器株式会社;
申请/专利号CN200780021880.9
申请日2007-06-12
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人孙志湧
地址 日本京都府
入库时间 2022-08-23 09:05:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/317 授权公告日:20100901 终止日期:20150612 申请日:20070612
专利权的终止
2010-09-01
授权
授权
2009-08-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-24
公开
公开
机译: 在电子半导体器件制造过程中,提高感光材料膜和要蚀刻的层之间的选择性,涉及用离子束辐射晶圆
机译: 带有辐射板的铅框架,制造带有辐射板的铅框架的方法,半导体器件以及制造半导体器件的方法
机译: 图案形成方法,制造电子器件的制造方法,制造半导体器件制造工艺,树脂,生产树脂的制造方法,形成树脂,光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,以及光学射线敏感或辐射敏感膜