公开/公告号CN101447529B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司;
申请/专利号CN200810207488.X
申请日2008-12-22
分类号
代理机构广州知友专利商标代理有限公司;
代理人李海波
地址 200436 上海市闸北区江场三路36号
入库时间 2022-08-23 09:04:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-08
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 合同备案号:2011320000547 让与人:上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 受让人:扬州晶澳太阳能研发有限公司 发明名称:一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 公开日:20090603 授权公告日:20100908 许可种类:独占许可 备案日期:20110411 申请日:20081222
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2010-09-08
授权
授权
2009-07-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-03
公开
公开
机译: 太阳电池选择性发射极的处理和生产
机译: 太阳电池选择性发射极的处理和生产
机译: 具有选择性发射极的硅太阳能电池的制造方法,包括在太阳能电池基板的发射极表面上产生层状发射极,并在发射极表面的子范围上施加腐蚀阻挡层