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公开/公告号CN101515543B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200810057890.4
发明设计人 王晓亮;罗卫军;郭伦春;肖红领;李建平;李晋闽;
申请日2008-02-20
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:04:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-25
授权
2009-10-21
实质审查的生效
2009-08-26
公开
机译: 通过掩膜柱侧壁的横向生长在碳化硅衬底上制造氮化镓半导体层的前外延方法以及由此制造的氮化镓半导体结构
机译: 通过从掩模柱的侧壁横向生长在碳化硅衬底上制造氮化镓半导体层的五外延方法
机译: 用于生长氮化镓的基质,用于制备生长氮化镓的基质的方法和用于制备氮化镓基质的方法
机译:使用激光辅助金属有机化学气相沉积法在硅衬底上快速生长m面取向的氮化镓纳米板
机译:氮化镓在硅衬底上的外延横向过生长
机译:氮化镓在硅衬底上的外延外延生长
机译:氮化镓蓝宝石上的氮化镓金属有机气相外延生长模式可提高基于InGaN的发光二极管的效率
机译:MBE生长和III / V氮化物半导体薄膜结构的加工:氮化镓铟镓的生长以及离子束和电子束聚焦的纳米加工。
机译:从封面开始:使用生长在硅(111)上的氮化铟镓进行固态照明的不寻常策略
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征