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基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法

摘要

本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法,结合不同的连续性条件和边界条件,利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式,并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气,在固定的偏置电压下,在漏极施加正弦周期信号,通过引入温度缩放因子,实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率,温度缩放因子取值为500时,在保证电热模拟精度的前提下,本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。

著录项

  • 公开/公告号CN118133751B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2024.09.13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京理工大学;

    申请/专利号CN202410253036.4

  • 发明设计人

    申请日2024.03.06

  • 分类号G06F30/36;G06F111/04;G06F119/08;

  • 代理机构南京理工大学专利中心;

  • 代理人段宇轩

  • 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号

  • 入库时间 2024-09-23 22:39:27

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