法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20100609 终止日期:20131121 申请日:20071121
专利权的终止
2010-06-09
授权
授权
2009-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-05-27
公开
公开
机译: 有机场效应晶体管具有窄条型导体漏电极和源电极,栅极电介质和与漏电极和源电极的窄条重叠的栅电极
机译: MOS晶体管具有受控的浅源极/漏极结,源极/漏极带部分以及场绝缘层上的源极/漏极电极
机译: 半导体器件在栅电极的两侧具有源-漏区,使得源-漏区和栅电极具有相同的平坦表面。