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一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明下电极结构有机场效应晶体管,包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,其中,源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯电极。本发明制备图案化石墨烯电极的方法,包括如下步骤:1)在衬底上沉积金属薄膜,并将所述金属薄膜图案化;2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中,在图案化金属电极材料表面上化学气相沉积石墨烯,得到图案化石墨烯电极;其中,化学气相沉积所用的碳源为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯和甲烷等。

著录项

  • 公开/公告号CN101442105B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院化学研究所;

    申请/专利号CN200710177814.2

  • 申请日2007-11-21

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人关畅

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北一街2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20100609 终止日期:20131121 申请日:20071121

    专利权的终止

  • 2010-06-09

    授权

    授权

  • 2009-07-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-27

    公开

    公开

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