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机译:金属缓冲双层漏/源电极对有机场效应晶体管的工作稳定性的影响
Univ Isfahan, Dept Elect Engn, Esfahan, Iran.;
Malek Ashtar Univ Technol, Dept Elect & Avion Engn, Esfahan, Iran.;
Organic transistors; Operational stability; Buffer layers;
机译:基于铜/硫化铜双层源漏电极的高性能有机场效应晶体管
机译:用于n沟道有机场效应晶体管的LiF / Al双层源极和漏极
机译:基于顶部接触的五烯类有机薄膜晶体管(OTFT),具有N,N'-BIS(3-甲基苯基)-N,N'二苯基苯并苯并(TPD)/ Au双层源 - 漏电极
机译:在聚合物衬底上制造具有银纳米线源/漏电极的溶液处理的顶栅型n沟道有机场效应晶体管
机译:硅化铂源漏场效应晶体管的物理技术
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制