功率光电二极管、用于将光纤耦接到功率光电二极管的方法以及光纤供电系统

摘要

根据本公开，提供了与基于III族金属氮化物和镓基衬底的功率光电二极管结构和器件的制造和应用相关的技术。更具体地，本公开的实施方式包括用于制作包括GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN结构和器件中的一个或多个的光电二极管器件的技术。此类结构或器件能够被用于包括光电子器件、光电二极管、光纤供电接收器等的各种应用。