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MXene/n-Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法及探测器

摘要

本发明公开了一种MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法,获取Ti3C2Tx胶体溶液,以及掺有Sb的n‑Ge衬底,清除n‑Ge衬底表面杂质,然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上,在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。本发明还公开了一种通过上述方法制得而成的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器,该探测器结构简单,工作稳定,检测效果好,响应时间极快,精度和可靠性高,还具有体积小、重量轻的优点,另外传感器制作容易,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN114927596B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2024.08.13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆理工大学;

    申请/专利号CN202210555083.5

  • 发明设计人

    申请日2022.05.20

  • 分类号H01L31/18;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/109;

  • 代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人陆瑞

  • 地址 400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号

  • 入库时间 2024-09-23 22:34:16

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