公开/公告号CN101009328B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200710003854.5
申请日2007-01-08
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/49(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院
入库时间 2022-08-23 09:04:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-03
专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 登记号:Y2019500000007 登记生效日:20191210 出质人:重庆万国半导体科技有限公司 质权人:国家开发银行重庆市分行 发明名称:生成低电阻自对准多晶硅化MOSFET器件的结构和方法 授权公告日:20100526 申请日:20070108
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
2016-11-02
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20161012 变更前: 变更后: 申请日:20070108
专利申请权、专利权的转移
2016-11-02
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20161012 变更前: 变更后: 申请日:20070108
专利申请权、专利权的转移
2010-05-26
授权
授权
2010-05-26
授权
授权
2007-09-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-09-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-01
公开
公开
2007-08-01
公开
公开
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机译： 一种自对准多晶硅化物制造方法，该方法使用材料的平坦化层将多晶硅结构暴露于顺序沉积的金属层上，该金属层反应形成金属硅化物
机译： 用自对准硅化物消除MOSFET器件中的掩埋接触沟槽的方法，该自对准硅化物包括与包括掺杂的硅侧壁的掩埋接触区的硅连接
机译： 自对准多晶硅化物工艺，利用平坦化的材料层将多晶硅结构暴露于随后沉积的金属层，该金属层反应形成金属硅化物
