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使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统

摘要

本发明公开一种使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统,方法包括:初始化Flash内预先划分好的两个存储空间,并确定两个所述存储空间的激活状态;在两个所述存储空间中查找所有的最新数据;在被写入的数据长度小于当前激活状态存储空间的剩余空间时,写入数据至当前激活状态存储空间的数据区;在被写入的数据长度大于当前激活状态存储空间的剩余空间时,交换两个存储空间的激活状态,写入数据至新激活状态存储空间的数据区。本发明通过管理两个存储空间的激活状态,交替地向两个存储数据区以特定的格式写入数据,并在初始化时仅记录数据标志头的首地址,解决当前Flash模拟EEPROM方法中Flash利用率低,且大量占用Sram问题。

著录项

  • 公开/公告号CN117742588B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2024.06.04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉芯必达微电子有限公司;

    申请/专利号CN202311624432.5

  • 发明设计人

    申请日2023.11.30

  • 分类号G06F3/06;G06F15/78;

  • 代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;

  • 代理人毕琼

  • 地址 430000 湖北省武汉市东湖高新区华翔中心A2栋16楼

  • 入库时间 2024-07-23 17:22:15

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