R5F104BC单片机Flash中数据存储方法研究

摘要

为了减少微处理器内部集成的用于模拟非易失性RAM数据区域的Flash擦除次数,提升存储数据访问效率和延长器件使用寿命,以R5F104BC单片机为例,提出了三种存储方法,给出具体的实现算法和软件实现过程,在访问速度与实现代码大小之间实现平衡。在实际应用中,编程人员可以根据具体情况,很方便和快捷地将本方法移植到其他的内部集成了Flash的微处理器上。