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硅表面清洁溶液以及用其制造半导体器件的方法

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摘要

提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH

1. 硅表面清洁溶液以及用其制造半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN101024882B . 2010.05.26
2. 制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液 [P] . 中国专利： CN109423288B . 2021.02.23
3. Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same [P] . 美国专利： US7879735B2 . 2011-02-01

机译：用于硅表面的清洁溶液和使用该清洁溶液的半导体器件的制造方法
4. Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same [P] . 美国专利： US7449417B2 . 2008-11-11

机译：用于硅表面的清洁溶液和使用该清洁溶液的半导体器件的制造方法
5. Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same [P] . 美国专利： US2007178706A1 . 2007-08-02

机译：用于硅表面的清洁溶液和使用该清洁溶液的半导体器件的制造方法