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激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法

摘要

提供一种激光照射设备和激光照射方法,其中,通过在使用偏转器的光学系统中设置狭缝,减少了用激光束照射的区域中用微晶形成的区域,且能够有利地对半导体膜进行激光处理。还提供一种使用上述激光照射设备和激光照射方法的半导体装置的制造方法。在光学系统中,使用具有图像空间远心特性的f-θ透镜、或其形状根据激光束的入射角而改变的狭缝。所述狭缝设置在f-θ透镜和照射表面之间,且通过投影透镜将狭缝开口部分处的图像投影到照射表面上。通过上述结构,能对用激光束扫描的整个区域均匀地进行激光照射。

著录项

  • 公开/公告号CN101331592B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN200680047387.X

  • 发明设计人 田中幸一郎;大石洋正;

    申请日2006-11-30

  • 分类号H01L21/268(20060101);H01L21/20(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人康建忠

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-06-16

    授权

    授权

  • 2009-02-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-24

    公开

    公开

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