公开/公告号CN101331592B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200680047387.X
申请日2006-11-30
分类号H01L21/268(20060101);H01L21/20(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人康建忠
地址 日本神奈川
入库时间 2022-08-23 09:04:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-06-16
授权
授权
2009-02-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-24
公开
公开
机译: 激光照射台,激光照射光学系统,激光照射装置,激光照射方法以及半导体装置的制造方法
机译: 激光照射台,激光照射光学系统,激光照射装置,激光照射方法以及半导体装置的制造方法
机译: 激光照射台,激光照射光学系统,激光照射装置,激光照射方法以及半导体装置的制造方法