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磁阻元件,具有其的存储元件及使用该存储元件的存储器

摘要

一种磁阻膜,包括一非磁膜,磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置,该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器,磁元件,磁阻元件以及磁元件的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1384503B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佳能株式会社;

    申请/专利号CN02119828.4

  • 发明设计人 池田贵司;小金井昭雄;冈野一久;

    申请日2002-04-02

  • 分类号G11C11/15(20060101);H01L43/00(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人冯谱

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20100428 终止日期:20130402 申请日:20020402

    专利权的终止

  • 2010-04-28

    授权

    授权

  • 2003-03-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-12-11

    公开

    公开

  • 2002-09-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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