公开/公告号CN100590812C
专利类型发明授权
公开/公告日2010-02-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200710044563.0
申请日2007-07-31
分类号H01L21/3205(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:04:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/3205 授权公告日:20100217 终止日期:20190731 申请日:20070731
专利权的终止
2011-12-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/3205 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2011-12-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/3205 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2010-02-17
授权
授权
2010-02-17
授权
授权
2009-04-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-02-04
公开
公开
2009-02-04
公开
公开
查看全部
机译: 半导体晶片化学镀铜溶液,镶嵌铜配线的形成方法,形成镶嵌铜配线的方法
机译: 形成用于铜镶嵌结构的光滑铜籽晶层的方法
机译: 形成用于镶嵌铜布线的种子层的方法以及具有利用该方法形成的镶嵌铜布线的半导体晶片