凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件

摘要

本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，栅场板位于钝化层的上面，绝缘槽栅与栅场板电气连接，其中，钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自栅场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与栅场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、频率特性好、稳定性强和击穿电压高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。