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公开/公告号CN1051628C
专利类型发明授权
公开/公告日2000-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 美国3M公司;
申请/专利号CN94191113.6
发明设计人 塚本洋司;尾入茂人;太田稔男;
申请日1994-02-07
分类号G11B5/73;G11B5/733;
代理机构上海专利商标事务所;
代理人林蕴和
地址 美国特拉华州
入库时间 2022-08-23 08:55:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-04-09
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-04-19
授权
1996-05-22
实质审查请求的生效
1996-05-15
1996-02-21
公开
机译: 具有底涂层的高记录密度磁记录介质
机译: 具有氧化铁和炭黑底涂层的高记录密度磁记录介质
机译:垂直磁记录介质高记录密度的计算机模拟研究
机译:实现了图案化磁记录介质的高记录密度HDD氧化铝纳米孔阵列的应用
机译:垂直磁记录介质中分散和结构对高记录密度记录性能影响的模拟研究
机译:涂层型六角形铁氧体磁带装置的高记录密度研究
机译:具有高垂直各向异性的磁性薄膜,用于磁记录介质应用。
机译:了解氮在具有和不具有超薄碳涂层的磁记录介质的等离子体辅助表面改性中的作用
机译:薄膜磁记录介质的特殊问题/最近进展和未来。溅射的高记录密度介质。
机译:采用倾斜光纤布拉格光栅结构的单偏振高功率光纤激光器和放大器,具有高消光比的光纤内极化器