公开/公告号CN1922338B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-05
原文格式PDF
申请/专利权人 独立行政法人科学技术振兴机构;
申请/专利号CN200580006057.1
发明设计人 岩村荣治;
申请日2005-02-25
分类号C23C14/00(20060101);C01B31/02(20060101);B82B1/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李贵亮
地址 日本埼玉县
入库时间 2022-08-23 09:04:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/00 授权公告日:20100505 终止日期:20180225 申请日:20050225
专利权的终止
2010-05-05
授权
授权
2010-05-05
授权
授权
2007-04-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-04-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-02-28
公开
公开
2007-02-28
公开
公开
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机译: 使用Cu-Se两成分纳米粒子助熔剂制造包含Cu-Se薄膜的CI(G)S系薄膜的方法以及通过该方法制造的CI(G)S系薄膜
机译: 制造纳米碳薄膜的方法,以及使用该薄膜制造的纳米碳薄膜
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