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绝缘体上硅(SOI)结构中的光的主动操控装置

摘要

一种用于在两维主动控制SOI基光学结构内的光的操控的装置,其使用在硅-绝缘体-硅电容(SISCAP)结构的SOI层和多晶硅层内形成的掺杂区域。所述区域被对应掺杂以形成有源器件,其中电势在所述对应掺杂区域间的施加用于改变受影响区的反射指数,以及改变通过所述区域传播的光信号的特性。可有利地形成所述掺杂区域,以显示任何期望的“形状”(例如透镜、棱镜、布拉格光栅等),以操控传播的束,所述传播的束随这些器件的已知特性而变化。在SISCAP形成的SOI基光学元件(例如马赫曾德尔干涉仪、环形谐振器、光开关等)内可包括本发明的一个或更多有源器件,以形成有源的可调谐元件。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G02F 1/225 变更前: 变更后: 登记生效日:20131129 申请日:20050228

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G02F 1/225 变更前: 变更后: 登记生效日:20131129 申请日:20050228

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G02F 1/225 变更前: 变更后: 申请日:20050228

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2013-12-18

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G02F 1/225 变更前: 变更后: 申请日:20050228

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-05-05

    授权

    授权

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-12

    公开

    公开

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