公开/公告号CN1906724B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-05
原文格式PDF
申请/专利权人 韩国电子通信研究院;
申请/专利号CN200580001426.8
申请日2005-06-03
分类号H01J1/30(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国大田市
入库时间 2022-08-23 09:04:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-05-05
授权
授权
2007-03-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-31
公开
公开
机译: 等离子体刻蚀过程中利用微掩膜制造场致发射器件的方法,特别是利用微掩膜现象同时形成沟槽和场致发射尖端的方法
机译: 用相同的方法生产场致发射器件和电子器件的场致发射器件和ZnO纳米管的方法
机译: 包括碳纳米管电子场致发射器件的电子场致发射器件的制造方法