注入磷形成补偿的器件沟道区的半导体器件的制造方法

摘要

本发明为一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布的半导体器件制造方法，其步骤包含有，在硅基片上形成牺牲氧化物层，进行调整阈电压的离子注入，去除牺牲氧化物层，沉积一栅极氧化物层，沉积一栅极多晶硅层，限定及蚀刻栅极多晶硅层，从而得到栅极，进行每一次离子注入磷以得到轻掺杂漏极，及进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。