Модификация приповерхностных слоев монокристаллов кремния имплантированных ионами В+ и Р+ в процессе создания полупроводниковых приборов по КМОП технологии

摘要

MODIFICATION OF THE SURFACE LAYERS OF SILICON SINGLE CRYSTALS IMPLANTED WITH B+ AND P+ IONS AT THE CREATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY CMOS TECHNOLOGYD. BRINKEVICH, S. VABISHCHEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI