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快速低压降(LDO)PFET调节器电路

摘要

本发明揭示一种在两个运行模式下运行的低压降(LDO)PFET调节器电路。对于所述LDO PFET调节器电路正常运行的较高电源电压电位来说,当电源电压电位下降时,所述LDO PFET调节器在第二运行模式下运行,其中判定电路确定是否向其供应第一升压电流以便补偿第一PFET的减小的互阻抗。

著录项

  • 公开/公告号CN100590567C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅锗半导体(美国)公司;

    申请/专利号CN200580014548.0

  • 发明设计人 E·J·W·维特克;

    申请日2005-04-05

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人彭家恩

  • 地址 美国麻萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-17

    授权

    授权

  • 2008-01-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-11

    公开

    公开

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