公开/公告号CN100587914C
专利类型发明授权
公开/公告日2010-02-03
原文格式PDF
申请/专利权人 恩益禧电子股份有限公司;
申请/专利号CN200510099670.4
发明设计人 木田刚;
申请日2005-09-02
分类号H01L21/301(20060101);B23K26/40(20060101);B28D5/00(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏;陆锦华
地址 日本神奈川
入库时间 2022-08-23 09:03:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/301 授权公告日:20100203 终止日期:20140902 申请日:20050902
专利权的终止
2010-12-22
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/301 变更前: 变更后: 申请日:20050902
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-02-03
授权
授权
2006-05-03
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-03-08
公开
公开
机译: 用于在半导体装置的生产中处理半导体晶片的激光束处理设备,在其中执行的激光束处理方法以及由此处理的半导体晶片
机译: 用于在半导体装置的生产中处理半导体晶片的激光束处理设备,在其中执行的激光束处理方法以及由此处理的这种半导体晶片
机译: 用于在半导体装置的生产中处理半导体晶片的激光束处理设备,在其中执行的激光束处理方法以及由此处理的这种半导体晶片