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处理半导体晶片的激光束处理设备、方法及半导体晶片

摘要

在处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备中,激光束生成器系统(60,68)生成激光束,并且移动系统(12,78,80)相对于激光束相对地移动半导体晶片,从而沿划线用激光束照射半导体晶片,以沿划线从半导体晶片部分地去除多层布线结构。照射控制系统控制沿划线用激光束照射半导体晶片,从而将对准标记保留在划线上。其中半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSLm,SSLn)、以及在划线中的任何一条划线上形成的至少一个对准标记(AM)。

著录项

  • 公开/公告号CN100587914C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩益禧电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200510099670.4

  • 发明设计人 木田刚;

    申请日2005-09-02

  • 分类号H01L21/301(20060101);B23K26/40(20060101);B28D5/00(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人穆德骏;陆锦华

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/301 授权公告日:20100203 终止日期:20140902 申请日:20050902

    专利权的终止

  • 2010-12-22

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/301 变更前: 变更后: 申请日:20050902

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-02-03

    授权

    授权

  • 2006-05-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-08

    公开

    公开

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