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形成半导体器件的金属前介电质层的方法和半导体衬底

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摘要

本发明涉及使用化学机械抛光(CMP)工艺形成半导体器件的金属前介电质(PMD)层的方法，其适用于容易地识别对准标记。这种方法通过在半导体划线通道的有源区中预先形成多晶硅对准标记图案，能够减小或消除由于CMP导致的对准标记的腐蚀。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-02-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20100127 终止日期:20131211 申请日:20071211

专利权的终止
2010-01-27

授权

授权
2008-08-13

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-06-18

公开

公开

1. 形成半导体器件的金属前介电质层的方法和半导体衬底 [P] . 中国专利： CN100585802C . 2010.01.27
2. 半导体器件的金属前介电质层 [P] . 中国专利： CN101211776A . 2008-07-02
3. Method of forming pre-metal dielectric film on a semiconductor substrate including first layer of undoped oxide of high ozone:TEOS volume ratio and second layer of low ozone doped BPSG [P] . 美国专利： USRE40507E . 2008-09-16

机译：在半导体衬底上形成金属前介电膜的方法，该半导体衬底包括第一层的高臭氧：TEOS体积比的未掺杂氧化物和第二层的低臭氧掺杂的BPSG
4. Method of forming pre-metal dielectric film on a semiconductor substrate including first layer of undoped oxide of high ozone:TEOS volume ratio and second layer of low ozone doped BPSG [P] . NO20030902D0 . 2003-02-26

机译：在半导体衬底上形成金属前介电膜的方法，该半导体衬底包括第一层高臭氧：TEOS体积比的未掺杂氧化物和第二层低臭氧掺杂的BPSG
5. Method of forming pre-metal dielectric film on a semiconductor substrate including first layer of undoped oxide of high ozone:TEOS volume ratio and second layer of low ozone doped BPSG [P] . NO20030902L . 2003-02-26

机译：在半导体衬底上形成金属前介电膜的方法，该半导体衬底包括第一层高臭氧：TEOS体积比的未掺杂氧化物和第二层低臭氧掺杂的BPSG