公开/公告号CN100570479C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-16
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN200510103767.8
申请日2005-09-23
分类号G03F1/14(20060101);G02B5/23(20060101);G02F1/1335(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:03:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-16
授权
授权
2007-05-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: 半导体制造过程中的光学邻近效应校正方法和掩模数据形成方法,即使在设计图案的尺寸和形状以及设计图案之间的空间宽度和位置关系的各种情况下,也可以充分地校正光学邻近效应。
机译: 半导体制造过程中的光学邻近效应校正方法和掩模数据形成方法,即使在设计图案的尺寸和形状以及设计图案之间的空间宽度和位置关系的各种情况下,也可以充分地校正光学邻近效应。
机译: 光学邻近效应校正方法和装置,光学邻近效应验证方法和装置,曝光掩模的制造方法,进一步的光学邻近效应校正程序和光学邻近效应验证程序