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使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法

摘要

本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理,和在所述第二反应气体连续馈送处理期间执行多次处理周期,其包括将第一反应气体馈送入所述腔室中的第一反应气体馈送处理和清除并不依附在衬底上的第一反应气体的第一反应气体清除处理。所述第二反应气体连续馈送处理包括在所述第一反应气体清除处理期间以大于基本流量的脉冲流量馈送所述第二反应气体的第二反应气体脉冲处理。

著录项

  • 公开/公告号CN100569998C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社IPS;

    申请/专利号CN200610064869.8

  • 发明设计人 朴永薰;李相奎;李起薰;徐泰旭;

    申请日2006-03-16

  • 分类号C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/34(20060101);H01L21/365(20060101);

  • 代理机构11278 北京连和连知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡光星

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/448 登记生效日:20160726 变更前: 变更后: 申请日:20060316

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-08-17

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/448 变更前: 变更后: 申请日:20060316

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-02-22

    专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/448 变更前: 变更后: 登记生效日:20120111 申请日:20060316

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-12-16

    授权

    授权

  • 2006-12-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-20

    公开

    公开

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