法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20091202 终止日期:20170704 申请日:20080704
专利权的终止
2011-08-24
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20110715 申请日:20080704
专利申请权、专利权的转移
2011-08-24
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20110715 申请日:20080704
专利申请权、专利权的转移
2009-12-02
授权
授权
2009-12-02
授权
授权
2009-02-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-02-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-10
公开
公开
2008-12-10
公开
公开
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机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 通过掩膜柱侧壁的横向生长在碳化硅衬底上制造氮化镓半导体层的前外延方法以及由此制造的氮化镓半导体结构
机译: 生长基于氮化镓的半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子设备,表皮基质和基于氮化镓的半导体电子设备的方法