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公开/公告号CN109325304B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.20
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201811177495.X
发明设计人 胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣;
申请日2018.10.10
分类号G06F30/367(2020.01);
代理机构上海正旦专利代理有限公司 31200;上海正旦专利代理有限公司 31200;
代理人陆飞;陆尤
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-01-09 21:32:12
机译: 具有石墨烯-绝缘体-半导体结构的隧穿二极管,隧穿晶体管,隧穿光电二极管和隧穿光电晶体管
机译: 使用石墨烯-硅量子点混合结构的隧穿二极管及其制造方法
机译: 晶体管具有石墨烯的一个或多个弯曲变形,以控制电,石墨烯单电子晶体管和电子隧穿石墨烯晶体管的开/关
机译:双层石墨烯隧穿晶体管中的谷极化隧穿电流
机译:使用指数和通风 - 波段方法和传输矩阵法计算电子透射率和隧穿电流的透射率和隧穿电流。
机译:基于量子隧穿的MOSFET栅极隧穿电流解析模型
机译:使用BN量子阱的新型基于石墨烯纳米带的共振隧穿二极管
机译:石墨烯和石墨烯纳米结构的超导隧穿光谱。
机译:三维运动中量子耦合的能量弛豫对石墨烯场效应晶体管隧穿电流的影响
机译:电流偏置约瑟夫森结的零电压状态下的宏观量子隧穿和能级量子化