高纯度Ru粉末、溅射靶、薄膜和高纯度Ru粉末的制造方法

摘要

一种高纯度Ru粉末，其特征在于，Na、K等各碱金属的含量均在10wtppm以下，Al的含量为1～50wtppm，以及该高纯度Ru粉末的制造方法，其特征在于，用纯度在3N(99.9%)以下的Ru原料作阳极，在溶液中电解精制。本发明提供用于制造溅射靶的高纯度Ru粉末、烧结该高纯度粉末得到的溅射靶以及用该靶溅射得到的薄膜和上述高纯度Ru粉末的制造方法，其中，高纯度Ru粉末在尽量减少有害物质的同时，成膜时颗粒的产生数少，膜厚分布均匀，而且具有4N(99.99%)以上的纯度，适合形成半导体存储器的电容器用电极材料。