Die Schichtabscheidung uber Magnetronsputtern ist Bestandteil wichtiger Prozessschritte bei der Herstellung von CIGS-Dunnschicht Photovoltaikmodulen. Diese basieren auf dem Halbleiter Cu(In, Ga)Se_2 und erfordern einen Ruckkontakt aus Molybdan. Herstellung und Anwendung von Sputtertargets aus Molybdan, MoNa und CuGa werden diskutiert. Die Targetherstellung uber pulvermetallurgische Fertigungsverfahren wird am Beispiel von Molybdan eingefuhrt. Der Herstellungsweg uber Pressen-Sintern-Umformen resultiert in hochreinem Material mit voller Dichte. Durch Zugabe einer Natriumverbindung wurden MoNa Targets entwickelt, wodurch die Dotierung des CIGS-Absorbers mit geringen Mengen Natrium erreicht werden kann. Bei CuGa-Targets bietet die pulvermetallurgische Fertigung gegenuber der Schmelzmetallurgie Vorteile: Eine feinere und gleichmassigere Mikrostruktur des Targets resultiert in einer homogenen lateralen Zusammensetzung der CuGa-Schichten.
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