能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件

摘要

本发明涉及一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，其每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及第一导电类型载流子存贮区；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。本发明提高载流子存贮层的掺杂浓度，能有效降低正向导通压降以及开关损耗。