GaAs上微/纳光学元件制备方法

摘要

GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。