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用于使用补偿阴极接触形成单掩模超突变结变容管的方法

摘要

本发明公开了一种包括具有补偿阴极接触的超突变结变容管的半导体结构,及其制造方法。所述方法包括在形成子集电极/阴极、集电极/阱和超突变结中使用的单注入掩模。

著录项

  • 公开/公告号CN100539022C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200580046008.0

  • 申请日2005-12-22

  • 分类号H01L21/20(20060101);H01L29/93(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;刘瑞东

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 授权公告日:20090909 终止日期:20181222 申请日:20051222

    专利权的终止

  • 2017-12-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20051222

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20051222

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20051222

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20051222

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-09-09

    授权

    授权

  • 2009-09-09

    授权

    授权

  • 2009-09-09

    授权

    授权

  • 2008-02-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-02

    公开

    公开

  • 2008-01-02

    公开

    公开

  • 2008-01-02

    公开

    公开

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