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公开/公告号CN114380322B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.25
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202210067000.8
发明设计人 魏晶;武月;冯冰溪;
申请日2022.01.20
分类号C01G15/00;G01N27/00;
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人李红霖
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-11-28 17:52:15
机译: 制备氧化铟纳米球的方法以及用该方法制备的氧化铟纳米球
机译: 制备铟锡纳米氧化物和铟锡氧化物的方法以及用该方法获得的铟锡纳米氧化物和铟锡氧化物的氧化物
机译: 掺锡的氧化铟粉的生产方法及掺锡的氧化铟粉
机译:不同铟起始材料湿化学法制备的掺锡氧化铟薄膜的结构和光电性能
机译:环戊二烯基铟前驱体合成铟和氧化铟纳米粒子及其在气敏中的应用
机译:氧化铟和氧化铟锡氧化物通道铁电栅极薄膜晶体管,具有钇掺杂的二氧化铪 - 二氧化锆栅极绝缘体,由化学溶液方法制备
机译:化学气相沉积法合成氧化锡,氧化铟和掺锡氧化铟纳米线
机译:三元尖晶石锡酸镉,铟镉和锡酸锌以及二元氧化锡和氧化铟透明导电氧化物作为硫化镉/碲化镉光伏器件的前接触材料。
机译:鉴于在染料敏化太阳能电池中的应用ZnO在中孔掺锡氧化铟薄膜中的电沉积极限
机译:通过化学气相沉积制备的掺氟氧化铟薄膜
机译:基于氧化铟 - 稀土氧化物 - 氧化铪的导电陶瓷的制备与性能