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用于支撑生长中的半导体材料单晶的支撑装置以及制造单晶的方法

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本发明涉及在根据Czochralski坩埚拉伸法工作的拉晶设备内支撑半导体材料单晶(8)的细颈(81)处的增粗部分(82)的支撑装置(1)，其在下部区域内具有中心开口的承重装置(121、122)，中心点位于垂直轴(16)上的直径为D

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公开/公告号CN100532657C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-26

原文格式PDF
申请/专利权人硅电子股份公司;
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申请/专利号CN200610121457.3
发明设计人迪特尔·克奈雷尔;
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申请日2006-08-25
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人过晓东
地址德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:03:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/30 授权公告日:20090826 终止日期:20140825 申请日:20060825

专利权的终止
2009-08-26

授权

授权
2007-04-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-28

公开

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