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量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用

摘要

本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶,该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层,从而可应用于QLED。本发明还涉及由本发明量子点光刻胶获得的量子点发光层。该发光层的厚度通常小于100nm,适合制备QLED。本发明还涉及所述量子点发光层的制备,包含本发明量子点发光层的QLED以及包含本发明量子点发光层或本发明QLED的发光装置、照明装置和显示装置。

著录项

  • 公开/公告号CN112051709B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.10.18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201910485642.8

  • 发明设计人 邹应全;肖正君;辛阳阳;

    申请日2019.06.05

  • 分类号G03F7/004;G03F7/038;H01L51/50;H01L51/56;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人张振军;刘金辉

  • 地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

  • 入库时间 2022-11-28 17:51:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-18

    授权

    发明专利权授予

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