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公开/公告号CN112051709B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京师范大学;
申请/专利号CN201910485642.8
发明设计人 邹应全;肖正君;辛阳阳;
申请日2019.06.05
分类号G03F7/004;G03F7/038;H01L51/50;H01L51/56;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人张振军;刘金辉
地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号
入库时间 2022-11-28 17:51:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
授权
发明专利权授予
机译: 有机配体及其制备方法,量子点结构材料,包含量子点的层和发光二极管
机译:用于发光二极管的ZnO电子传输层和INP量子点层之间的Mg掺杂的ZnO纳米粒子膜作为ZnO电子传输层和INP量子点层之间的夹层
机译:使用半导体量子点进行发光层的QLED的发光特性
机译:使用半导体量子点作为发光层的QLED的发射特性
机译:高密度高密度InAs量子点量子点层上高密度高密度INAS量子点量子点层的发光特性(001)(3)
机译:用于光电应用的图案化量子点和逆量子点有源层。
机译:基于胺化石墨烯量子点和羧基石墨烯量子点的前列腺特异性抗原检测的无标记电化学发光免疫传感器
机译:量子点层微观结构对量子点发光器件电致发光特性的影响
机译:改善Inp基板上的Inas量子点的点尺寸均匀性和发光