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李芝; 陈静; 雷威;
东南大学电子科学与工程学院,南京210096;
量子点发光二极管; 量子点层厚度; 发光特性;
机译:ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点层厚度对发光二极管性能的影响
机译:空穴输送层厚度对量子点发光二极管的影响
机译:NiO空穴传输层厚度对全无机量子点发光二极管性能的影响
机译:高密度高密度InAs量子点量子点层上高密度高密度INAS量子点量子点层的发光特性(001)(3)
机译:Cdse1-Xsx / Zns合金核心 - 壳量子点的调谐尺寸和发光特性通过酒精
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:通过将电子传输材料混合到发光层中,使用ZninP / ZnSe / ZnS量子点在量子点发光二极管中的改善电致发光特性
机译:最终报告,量子点发光二极管。
机译:处理量子点的发光二极管的表面处理量子点包括相同表面处理量子点的发光二极管的制造方法和制造相同量子点发光二极管的方法
机译:量子点量子点分散量量子点发光二极管量子点膜和光转换可固化组合物,其包含由组合物和包含该组合物制造的固化膜的量子点
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