首页> 中国专利> 量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法

量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法

摘要

本发明属于显示器件领域,提供了量子点复合发光层的制备方法、QLED器件及其制备方法。本发明提供的量子点复合发光层的制备方法,通过将软模板剂与量子点在溶剂中混合均匀后形成均一溶液,将该溶液沉积在碳材料层的表面上形成量子点薄膜,再将该量子点薄膜中的软模板剂除去,得到量子点复合发光层。在此过程中,量子点均匀分布在量子点薄膜中,量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变软模板剂的添加量、软模板剂的种类进行轻松地调控,从而提高器件的发光均匀性和稳定性;同时,碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台,对量子点具有锚定作用,而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入,从而提高器件的发光效率;此外,该方法工艺简单,成本低,可实现大规模生产。

著录项

  • 公开/公告号CN109326728B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCL科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201710646954.3

  • 发明设计人 梁柱荣;曹蔚然;刘佳;

    申请日2017-08-01

  • 分类号

  • 代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人李艳丽

  • 地址 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

  • 入库时间 2022-08-23 11:08:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    授权

    授权

  • 2020-07-28

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L51/50 变更前: 变更后: 申请日:20170801

    著录事项变更

  • 2019-08-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20170801

    实质审查的生效

  • 2019-02-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号