首页> 中国专利> 浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法

浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法

摘要

本发明提供一种浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法。该光刻系统由一个光学表面、一个与光学表面的一部份接触且pH值小于7的浸润流体、以及一个上表面形成有光阻层的半导体结构所构成,其中该光阻层的部分表面与浸润流体接触。此外,本发明还提供一种对上表面形成有光阻层的半导体结构的照光方法,包括以下步骤:首先,在光学元件和光阻层之间注入pH值小于7的浸润流体;接着,使光线穿过浸润流体照射到光阻层上,其中该光线的波长以小于450纳米为佳。本发明提供的光刻系统和照光方法,不仅提高了分辨率,还能避免浸润流体污染光阻层或光学透镜。

著录项

  • 公开/公告号CN100535753C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200410056848.2

  • 发明设计人 杨育佳;林本坚;胡正明;

    申请日2004-08-25

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-02

    授权

    授权

  • 2005-10-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号