非易失性存储器阵列、非易失性存储器系统和其形成方法

摘要

非易失性存储器单元在存储器单元的沟道区域上一电介质材料存储区域中存储相应于正在被存储在夹在一控制栅(109，110，111)和半导体衬底表面(101)之间的电介质材料存储区域的数据的电荷级别。用正在被存储在电介质材料的一公用区域的多于两个的电荷中的一个提供多于两个的存储状态。在每一单元中可包括多于一个此种公用区域的多个区域。在一形式中，在一单元中提供邻接源极与漏极扩散区域(103，104，105)的两个这样的区域，也包括位于两个区域之间的选择晶体管。在另一形式中，存储单元串的NAND阵列在一个夹在字线(110)与半导体衬底(100)之间的电介质层区域中存储电荷。